光學干涉原理的膜厚測量技術的運用范圍
將基于光學干涉原理的膜厚測量功能與自動高速載物臺相結合的系統
以過去無法想象的速度測量任意點的膜厚和折射率
兼容2英寸至450毫米的硅基板，可任意測量點。
| 半導體 | 抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 拋光硅片、化合物半導體襯底、?T襯底等。 |
|---|---|
| 平板 | 單元間隙、聚酰亞胺、ITO、AR薄膜、 各種光學薄膜等 |
| 薄膜太陽能電池 | CdTe、CIGS、非晶硅等 |
| 砷化鋁鎵（AlGaAs）、磷化鎵（GaP）等 |
| 模型 | F50-UV | F50 | F50-近紅外 | F50-EXR | F50-UVX | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 測量波長范圍 | 190-1100nm | 380-1050nm | 950-1700nm | 380-1700nm | 190-1700nm | |
| 膜厚測量范圍 | 5nm-40μm | 20nm-70μm | 100nm-250μm | 20nm-250μm | 5nm-250μm | |
| 準確性* | ± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | |||
| 1納米 | 2納米 | 3納米 | 2納米 | 1納米 | ||
| 測量光斑直徑 | 兼容標準1.5mm 0.5mm、0.2mm、0.1mm（可選） | |||||
| 光源 | 氘· 鹵素 | 鹵素 | 氘· 鹵素 | |||
薄膜厚度分析 FIL Mapper 軟件具有強大而*的薄膜厚度分析算法和讓您輕松規定測量點的功能。
可進行高速測量，最快可在 21 秒內完成 300 mm 晶圓上的 25 點測量。
