材質：高純金（Au ≥ 99.99%）
尺寸：?51 mm × 厚度 0.1 mm（可定制其他規格）
適用設備：Shinkuu系列噴金儀（兼容多數磁控濺射鍍膜系統）
主要用途：SEM樣品導電鍍層、EBSD分析增強、光學反射膜制備等。
| 項目 | 技術指標 |
|---|---|
| 純度 | ≥99.99%（4N級，ICP-MS認證） |
| 密度 | 19.32 g/cm3（理論值） |
| 晶粒尺寸 | ≤100 nm（XRD分析） |
| 表面粗糙度 (Ra) | ≤0.2 μm（AFM測試） |
| 電阻率 | ≤2.2 μΩ·cm（4點探針法） |
| 濺射速率 | 80-120 ?/min（DC 30W, Ar 15sccm） |
| 推薦工作氣壓 | 0.5-3 Pa（高純Ar環境） |
? 超高純度：極低雜質含量（Fe、Cu等<10ppm），確保鍍膜無污染。
? 超薄設計：0.1mm厚度優化濺射效率，減少熱應力導致的靶材變形。
? 均勻成膜：磁控濺射后膜厚偏差≤±5%（旋轉樣品臺條件下）。
? 長壽命：典型使用壽命≥6小時（30W DC濺射條件）。
? 兼容性廣：適用于SEM、FIB-SEM、TEM樣品制備及XRF校準。
推薦膜厚：5-15 nm
效果：消除荷電效應，提升二次電子信號3-5倍。
推薦膜厚：3-8 nm
效果：減少背景噪聲，提高衍射信號信噪比。
推薦膜厚：50-200 nm
效果：可見光區反射率≥95%（λ=550 nm）。
安裝：使用無塵手套操作，確保靶材與陰極接觸良好。
存儲：干燥氮氣柜（RH<30%），避免氧化。
壽命終點判斷：
濺射速率下降＞20%
鍍膜出現明顯不均勻或雜質
廢棄處理：按貴金屬廢料回收（不可隨意丟棄）。
批次檢測報告：提供XRD晶相分析、ICP-MS成分檢測、AFM表面形貌數據。
兼容標準：符合ISO 9001、ASTM F76等國際規范。
? 真空要求：本底真空≤5×10?3 Pa，避免殘留氣體污染。
? 避免過熱：連續濺射時建議間歇冷卻，防止靶材熱裂。
? 安全防護：濺射過程中避免直接觀察等離子體，佩戴防護眼鏡。
